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EUV im Fokus

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by EUV The Focal Point - Team

49 episodes

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Podcast Overview

EUV The Focal Point ist dein Podcast rund um Extreme-Ultraviolett-(EUV-)Lithografie. Industry Briefings: Behandeln Technologieknoten, DRAM, HBM und strategische Entwicklungen von ASML & Co. sowie von Endkunden wie Apple & Co. Focus Deep Dives: Erklären Physik, Plasma, Optik und wie EUV-Scanner wirklich funktionieren. Moderiert von EUV-Experten Samantha und Jack, vollständig mit KI erstellt (eine Technologie, die es selbst ohne EUV nicht gäbe ;-), auf Basis von Unternehmens-Newsrooms, Wikipedia und Nachrichtenseiten. KI kann Fehler machen: Bitte alle Infos vor Verwendung eigenständig prüfen.

Language

🇩🇪

Publishing Since

11/22/2025

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Recent Episodes

July 6, 2026

[049] Industrie Briefing - EUV im Fokus

Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Diese Woche gibt es nur wenige neue offizielle Zahlen zu EUV-Scanner-Lieferungen, aber starke Signale zur Kapazitätsplanung. Südkorea bewegt sich von Kapitalzusagen zu Umsetzungsdruck, Samsung und TSMC zeigen, dass Roadmap-Glaubwürdigkeit inzwischen von der Reife des Design-Ökosystems abhängt, und IBMs Nanostack-Arbeit schärft die Frage, was High-NA-EUV vor dem Produktionseinsatz beweisen muss. Wichtige Erkenntnisse- Diese Woche gab es keine neue offizielle ASML-Zahl zu EUV-Lieferungen und keinen neuen High-NA-Produktionsmeilenstein.- Südkoreas Präsident drängte Behörden, Chip- und KI-Projekte zu beschleunigen, und nannte Genehmigungen, Grundstücke, Strom und Wasser als Kapazitätsengpässe.- Reuters berichtete über erwartete Investitionen von jeweils rund 400 Billionen Won durch Samsung und SK hynix in südwestliche Chipstandorte sowie 81 Billionen Won für einen Packaging-Cluster in Chungcheong.- Der Cheongju-Plan von SK hynix deutet auf Investitionen von 100 Billionen Won hin, darunter 80 Billionen Won für M17-NAND und 20 Billionen Won für P&T7, eine Anlage für Advanced Packaging und Test.- Samsung bestätigte die Serienproduktion von SF1.4 für 2029 und SF1.4+ für 2030 und hob DTCO als wichtigen Beitrag zu den Verbesserungen von SF2 zu SF2P hervor.- Die gemeldeten Sondierungsgespräche zwischen Anthropic und Samsung zu 2 nm und Advanced Packaging sind unbestätigt, zeigen aber, dass KI-Unternehmen Foundry-Optionen suchen.- Socionext plant für September 2026 ein Tape-out eines Compute-Chiplets auf TSMC A14 und macht damit die Ökosystemreife von A14 konkreter.- Nvidias Position im chinesischen KI-Chipmarkt gerät durch Huawei und lokale Anbieter unter Druck, während China weiterhin keinen Zugang zu ASML-EUV-Systemen hat.- IBMs Nanostack-Ankündigung ist Forschung, keine Produktion, unterstreicht aber den Wert frühen High-NA-EUV-Lernens in Albany.- Gemeldete TSMC-Preiserhöhungen, Apples Produktkostendruck und Broadcoms Apple-Vertrag zeigen, wie Knappheit in Preissetzungsmacht und langfristige Verträge umgesetzt wird. GlossarExtreme Ultraviolet (EUV) — 13,5-Nanometer-Lithografie für kritische Schichten in der führenden Halbleiterfertigung.High Numerical Aperture (High-NA) EUV — ASMLs nächste EUV-Plattformgeneration mit höherer Auflösung und anspruchsvollerem Prozess-Ökosystem.Low Numerical Aperture (Low-NA) EUV — Die aktuelle EUV-Hauptplattform in der Volumenfertigung.Design Technology Co-Optimization (DTCO) — Gemeinsame Optimierung von Chip-Designregeln und Fertigungsprozessen zur Verbesserung von Leistung, Energieverbrauch, Fläche und Ausbeute.High Bandwidth Memory (HBM) — Gestapelter DRAM neben KI-Beschleunigern für sehr hohe Speicherbandbreite.Dynamic Random-Access Memory (DRAM) — Flüchtiger Speicher in Servern, PCs, Smartphones und HBM-Stacks.NAND — Nichtflüchtiger Flash-Speicher für Geräte und Rechenzentren.Tape-out — Zeitpunkt, an dem ein Chipdesign finalisiert und für Maskenerstellung und Fertigung übergeben wird.Advanced Packaging — Integrationstechnologien, die Logik, Speicher und Chiplets zu Hochleistungssystemen verbinden.Optionswert — Strategischer Wert frühen Lernens, damit Unternehmen vor festgelegten Produktionsentscheidungen zwischen Technologien wählen können.

June 29, 2026

[048] Industrie Briefing - EUV im Fokus

Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte prüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Diese Folge betrachtet EUV nicht als isolierte Scanner-Geschichte, sondern als Teil eines breiteren Fertigungssystems. Südkoreas Cluster-Pläne, Microns Rekordquartal, die geplante US-Notierung von SK Hynix, der niederländische Widerstand gegen Exportkontrollen, ASMLs Photonik-Arbeit mit TNO und xLights Ambitionen bei Lichtquellen zeigen dieselbe Richtung: Künftige Lithografiekapazität wird wie strategische Infrastruktur finanziert und gesteuert. Wichtige Erkenntnisse:- Südkorea bereitet einen neuen Halbleiter-Hub im Südwesten vor; lokalen Berichten zufolge könnten die Investitionen über mehrere Jahre mehr als 1.000 Billionen Won erreichen.- Das erwartete südkoreanische Unterstützungspaket ist stark infrastrukturorientiert: Strom, Wasser, Land, Ausbildung, Verkehr und Wohnraum sind für EUV-fähige Kapazität entscheidend.- Micron meldete für das dritte Geschäftsquartal einen Rekordumsatz von 41,46 Milliarden US-Dollar und sagte, dass der Rechenzentrumsumsatz im Quartal über 25 Milliarden US-Dollar lag.- Micron hat 16 strategische Kundenvereinbarungen unterzeichnet und erwartet, dass die Knappheit bei Speicher über das Kalenderjahr 2027 hinaus anhält.- Micron erwartet für das Geschäftsjahr 2026 Investitionsausgaben von rund 27 Milliarden US-Dollar und im Geschäftsjahr 2027 höhere Quartalsinvestitionen, wobei Bauinvestitionen mehr als die Hälfte des Jahresanstiegs ausmachen sollen.- SK Hynix plant, über eine US-Notierung von American Depositary Receipts bis zu 45,45 Billionen Won beziehungsweise etwa 29,4 Milliarden US-Dollar aufzunehmen.- Niederländische Vertreter wehren sich gegen den MATCH Act, weil er Verbündete zu US-ähnlichen China-Exportkontrollen zwingen und DUV-Serviceleistungen beeinflussen könnte.- ASML und TNO werden DUV- und I-Line-Lithografie in einer neuen Pilotlinie in Eindhoven für Indiumphosphid-Photonikchips auf Sechs-Zoll-Wafern einsetzen.- Die xLight-Meldung über eine Finanzierungsrunde von 350 Millionen US-Dollar ist bislang berichtet, aber nicht offiziell angekündigt; der offizielle Anker ist die US-CHIPS-Act-Förderung vom 2. Juni.- Der Fokus dieser Woche liegt auf einer Mischflotten-Sicht der Lithografie: EUV trägt die dichtesten Schichten, aber DUV trägt weiterhin einen großen Teil von Skalierung, Ausbeute, Zuverlässigkeit und Kosten. Glossar:Extreme Ultraviolet (EUV) — Lithografie mit Licht von 13,5 Nanometern für die kritischsten Schichten in fortgeschrittener Logik und Speicherfertigung.High Numerical Aperture (High-NA) — Nächste Generation der EUV-Optik mit höherem Auflösungspotenzial, aber höheren Kosten und größerer Integrationskomplexität.Deep Ultraviolet (DUV) — Lithografie mit längeren Wellenlängen wie 193 Nanometern und 248 Nanometern, weiterhin essenziell für viele Schichten fortgeschrittener Knoten.Dynamic Random-Access Memory (DRAM) — Flüchtiger Speicher für Server, PCs, Mobilgeräte und High-Bandwidth-Memory-Stacks.High Bandwidth Memory (HBM) — Gestapelter DRAM, optimiert für sehr hohe Datenbandbreite nahe an KI-Beschleunigern und Grafikprozessoren.American Depositary Receipt (ADR) — In den USA gehandeltes Zertifikat, das Aktien eines ausländischen Unternehmens repräsentiert.Free-electron laser — Lichtquelle auf Basis beschleunigter Elektronen; xLight entwickelt diesen Ansatz als alternative EUV-Quelle.Indium phosphide (InP) — Verbindungshalbleiter für aktive photonische Funktionen wie Laser und Modulatoren.Strategic customer agreement — Längerfristige kommerzielle Vereinbarung zur Verbesserung von Versorgungssichtbarkeit, Preisbeständigkeit oder Kapazitätsbindung.

June 22, 2026

[047] Industrie Briefing - EUV im Fokus

Dieser Beitrag wurde mit KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten. Die Folge dieser Woche betrachtet EUV weniger als Scanner-Kapazitätsmeldung und stärker als Übersetzer zwischen Laborergebnis und Fertigung. Im Mittelpunkt stehen die neue 300-Millimeter-Arbeit zu 2D-Materialtransistoren von imec, ASML und TSMC, Intels 18A-P-Meilenstein in der Risikoproduktion, ASMLs Dementi zu EUV-Lieferungen nach China und der neue HBM4E-Sampling-Druck von SK hynix. Wichtigste Erkenntnisse:- imec, ASML und TSMC demonstrierten komplementäre 2D-Material-nFETs und -pFETs auf einem 300-Millimeter-Wafer mit 50 Nanometern contacted poly pitch.- Das 2D-Materialergebnis nutzte EUV-Einfachbelichtung und meldete 94 Prozent funktionsfähige Transistoren, wodurch die Arbeit näher an fertigungsnahe Prozessuntersuchungen rückt.- Intel 18A-P ging in die Risikoproduktion, mit Angaben von 9 Prozent höherer Leistung bei gleicher Leistungsaufnahme oder 18 Prozent geringerer Leistungsaufnahme bei gleicher Leistung gegenüber Intel 18A.- Intels VLSI-Update hob außerdem Arbeiten zu Wärmeverhalten, Via-Widerstand, CFET, Galliumnitrid auf Silizium und Ruthenium-Interconnects als Teil eines längeren Skalierungsstapels hervor.- ASML dementierte, jemals eine EUV-Maschine oder EUV-spezifische Komponenten oder Module nach China geliefert zu haben.- SK hynix lieferte Muster von 12-lagigem HBM4E an große Kunden und nennt bis zu 16 Gigabit pro Sekunde pro Pin sowie mehr als 20 Prozent bessere Energieeffizienz.- Intels Berufung von Seok-Hee Lee an die Spitze des Foundry-Packagings zeigt, dass Lithografie, Speicherintegration und Advanced Packaging inzwischen eng verbunden sind.- Der EUVL and Source Workshop ordnete die längere Roadmap rund um High-NA, Hyper-NA, Quellen, Materialien, Metrologie, k1-Reduktion und Lithografie unterhalb von 13,5 Nanometern ein. Glossar:Extreme Ultraviolet (EUV) lithography — Lithografie mit 13,5-Nanometer-Licht zur Strukturierung fortgeschrittener Halbleiterschichten.High Numerical Aperture (High-NA) EUV — ASMLs nächste EUV-Generation mit höherer optischer numerischer Apertur für feinere Strukturierung.Contacted poly pitch (CPP) — Transistor-Skalierungsmetrik, die Gate- und Source/Drain-Kontaktdimensionen kombiniert.Zweidimensionale Übergangsmetall-Dichalkogenide (2D TMDs) — Atomar dünne Kanalmaterialien wie MoS2, WS2 und WSe2.nFET und pFET — Negative und positive Feldeffekttransistoren, die gemeinsam in CMOS-Logik verwendet werden.Risikoproduktion — Frühe Fertigungsphase zur Validierung der Prozessreife vor dem vollständigen Hochlauf der Serienfertigung.High Bandwidth Memory 4E (HBM4E) — Eine gestapelte DRAM-Technologie der nächsten Generation für Hochdurchsatz-KI-Systeme.Complementary Field-Effect Transistor (CFET) — Vertikal gestapelte Transistorarchitektur, die Logikskalierung über Gate-all-around-Bauelemente hinaus verlängern könnte.

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What is EUV im Fokus?: EUV The Focal Point ist dein Podcast rund um Extreme-Ultraviolett-(EUV-)Lithografie.

Industry Briefings: Behandeln Technologieknoten, DRAM, HBM und strategische Entwicklungen von ASML & Co. sowie von Endkunden wie Apple & Co. Focus Deep Dives: Erklären Physik, Plasma, Optik und wie EUV-Scanner wirklich funktionieren.

Moderiert von EUV-Experten Samantha und Jack, vollständig mit KI erstellt (eine Technologie, die es selbst ohne EUV nicht gäbe ;-), auf Basis von Unternehmens-Newsrooms, Wikipedia und Nachrichtenseiten.

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